Les dificultats tècniques enfront de xips LED
Les principals dificultats tècniques a què s'enfronten els xips LED, especialment els xips LED d'alta potència, són els següents:
Eficiència de baixa luminiscència
Tot i que l’eficiència lluminosa dels LED blancs envasats produïts per diversos fabricants ha arribat a més de 100 lm / w, comparat amb els xips LED de mida petita, l’eficiència lluminosa del LED blanc envasat continua sent molt baixa. A causa de la gran mida dels xips LED, quan la llum viatja a l'interior del dispositiu, la llum viatja més que la de les xips de mida petita, la qual cosa resulta en la major probabilitat d'absorció dels materials del dispositiu a la llum i una gran quantitat de llum és limitada al dispositiu i no pot emetre, resultant en una menor eficiència en la producció de llum.
Difusió de corrent no homogènia
Per als xips LED d'alta potència, es necessita una gran unitat de corrent (generalment 350 mA). Per tal d’aconseguir una difusió de corrent uniforme, s’hauria de dissenyar una estructura d’electrode raonable de manera que el corrent es pugui distribuir uniformement a la capa P. A causa de la gran mida del xip, és difícil que els xips LED d'alta potència aconsegueixen una difusió de corrent uniforme a la capa P, la qual cosa resulta en una acumulació de corrent sota l’elèctrode. Efecte de congestió actual. A causa de l’efecte actual d’acumulació, és a dir, l’actualitat es concentra principalment a la zona directament per sota de l’elèctrode, l’expansió lateral és relativament petita i la distribució actual és molt desigual, la qual cosa dóna com a resultat que la densitat de corrent local és massa alta.
Inestabilitat característica fotoelèctrica
A causa de la poca eficiència d'emissió de llum dels xips LED d'alta potència, una gran quantitat de llum és absorbida pels dispositius interns. Aquesta llum absorbida es converteix en energia calorífica en els dispositius interns, cosa que comporta un augment de la temperatura de connexió dels xips LED. L’augment de la temperatura de la unió no només provocarà una descomposició lleugera, sinó que també afectarà greument la vida dels xips LED. Al mateix temps, l’augment de la temperatura farà que el pic d’ona blava del xip passi a la longitud d’ona llarga (és a dir, el canvi de color vermell). Provocarà la discrepància entre la longitud d’ona emissora de la llum del xip i la longitud d’ona d’excitació del fòsfor, i també reduirà la representació del color.
La lleugera eficiència de la recerca en industrialització és molt inferior a la de la investigació i el desenvolupament de laboratori.
Actualment, els principals fabricants de xip LD al món han assolit un alt nivell de recerca i desenvolupament de laboratori, però el nivell d’investigació en industrialització segueix sent baix. El motiu principal és que la industrialització no només té en compte la demanda de costos, sinó que també té en compte la complexitat del procés de producció i el rendiment dels xips.
